1. DRAM
    +关注
    关注 2
    文章 357
    浏览量 74801
  2. 延迟
    +关注
    关注 0
    文章 12
    浏览量 6948

Kevin K. Chang:解决了DRAM问题 提出新的架构改进DRAM延迟问题

存储界 2018-01-05 14:19 次阅读
卡内基梅隆大学的Kevin K. Chang发表了一篇亮眼、出色的博士论文——《理解和改进基于DRAM的内存系统的延迟》(Understanding and Improving the Latency of DRAM-Based Memory Systems),解决了DRAM问题,并提出了一些新的架构改进办法,以在DRAM延迟方面做出实质性的改进。 三个问题 Kevin将DRAM延迟问题分成四个部分,笔者将在这里总结其中三个: ·低效的批量数据移动。 ·DRAM刷新干扰。当DRAM正在刷新时,它不能全部被访问。 ·单元格(Cell)潜伏期的变化——由于制造变异性。 至于第四个问题:延迟所带来的影响,有兴趣的朋友可以一起讨论。 Kevin K. Chang:解决了DRAM问题 提出新的架构改进DRAM延迟问题 1.低效的批量数据移动 在内存和存储代价高昂的时候,数据移动被限制在一个寄存器大小的块中,或者最多是来自磁盘的512字节块。但如今,在存储容量达千兆字节的存储空间和海量内存的情况下,海量数据移动变得越来越普遍。 但数据移动的架构——从内存到CPU,再到有限的内存总线——都没有改变。Chang的建议是一种新型的、高带宽的存储器子阵列之间的数据通路,利用几个隔离晶体管在同一存储器中的子阵列之间创建宽——8192位宽——并行总线。 2.DRAM刷新干扰 DRAM内存单元需要刷新以保存数据,这就是为什么它被称为动态RAM。DRAM刷新是成队列,而不是一次性刷新的,因为这样做需要太多的能耗。但是,当一个队列被刷新时,它不能被访问,这会造成延迟。 DRAM的延迟正在变高,因为随着芯片密度的增加,需要更新更多的队列,32Gb的芯片上可能降低将近20%的性能。 Chang提出了两种机制,即通过对bank和子阵列的内存访问进行并行刷新来隐藏刷新延迟。一个是使用无序的per-bank刷新,使内存控制器可以指定一个空闲的bank来刷新,而不是常规的严格循环顺序。第二种策略是写-刷新操作并行化,使刷新延迟和写延迟重叠。 在他的测试中,使用8核CPU,这些策略提高了超过27%的加权内存性能。 3.单元格延迟变化 得益于制造工艺的提升,记忆单元格可以有大量性能提升,随着密度的增加而增加。但是DRAM被指定以最慢的单元的速度可靠运行,这意味着如果使用最快的单元格,就会有显著的性能上升。 Chang在论文中提出了两种利用这种变化的机制,获得的速度提升从13%提高到了几乎20%。 探索与优化 在系统架构中,探索瓶颈和修复瓶颈的工作是没有终点的。过去20年内,DRAM一度被认为难有进步,但我们看到,其延迟水平也会被改变。 随着越来越多的晶体管、专业指令集和诸如此类的性能的提高,降低DRAM延迟也将成为性能改进的主要目标。

存储界 技术专区

  1. 西部数据公司发布中端空气硬盘 不断扩展其面向企业级用户的产品组合
  2. 基于存储系统SILT基本结构的详细解析
  3. 探讨一下在2018年数据中心这些存储趋势的细节
  4. SAS的概述、主要优点以及未来功能
  5. 对RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的简单介绍
原文标题:20年难有进步,DRAM延迟问题得到优化 文章出处:【微信号:cunchujie,微信公众号:存储界】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
关注鸿运国际微信
有趣有料的资讯及技术干货
下载发烧友APP
打造属于您的人脉电子圈
关注发烧友课堂
锁定最新课程活动及技术直播
收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

业界多估NAND Flash价格先降后升,DRAM 热度可望延续

综合目前业界的看法,DRAM 热度可望延续,供不应求态势依旧,但NAND 部分,恐怕就不会那么乐观了....
的头像 半导体行业观察 发表于 01-22 14:33 次阅读 0条评论
业界多估NAND Flash价格先降后升,DRAM 热度可望延续

DRAM无新增产能,服务器内存合约价续涨

2017年,整体内存产业不论DRAM或NAND Flash,都度过了一个黄金好年,那么2018年可否....
发表于 01-22 11:30 次阅读 0条评论
DRAM无新增产能,服务器内存合约价续涨

中国企业成半导体存储市场新势力 专利大战即将打响

纵观2017年的存储器市场,SSD和dram的涨价促进了市场的需求,存储市场的主导权成为各国争抢的新....
发表于 01-18 16:20 次阅读 0条评论
中国企业成半导体存储市场新势力 专利大战即将打响

DRAM 2018上半年还会涨吗?具体看三星、 SK海力士增产实况!

据悉,在今年上半年DRAM价格恐怕很难减下来,还会继续保持上涨趋势。到2018下半年是否增长具体还的....
发表于 01-18 15:24 次阅读 0条评论
DRAM 2018上半年还会涨吗?具体看三星、 SK海力士增产实况!

对RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的简单介绍

RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入,....
的头像 存储界 发表于 01-17 10:59 次阅读 0条评论
对RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的简单介绍

存储芯片的价格急速下滑,国内存储厂面临大考验

在经过为期一年半的价格暴涨之后,部分存储芯片的价格突然急速下滑,之后三星电子发布了一份并不乐观的20....
的头像 半导体行业观察 发表于 01-16 16:01 次阅读 0条评论
存储芯片的价格急速下滑,国内存储厂面临大考验

DRAM正转变为卖方市场 是时候寻找低成本的DRAM替代方案了

DRAM正转变为卖方市场,也为DRAM厂商写下利润新高纪录。就像石油危机一样,在DRAM危机下,客户....
的头像 半导体行业观察 发表于 01-15 14:45 次阅读 0条评论
DRAM正转变为卖方市场  是时候寻找低成本的DRAM替代方案了

2018年,DRAM市场走势究竟如何?

2018的几份预测报告出乎意料外的一致:DRAM续强,而NAND则在有些应用上价格稍为疲弱,我的预期....
的头像 DIGITIMES 发表于 01-12 08:42 次阅读 0条评论
2018年,DRAM市场走势究竟如何?

解决监控视频延迟的5个方法介绍

今天我们来谈谈如何解决监控视频延迟的问题。
的头像 嵌入式资讯精选 发表于 01-11 12:43 次阅读 0条评论
解决监控视频延迟的5个方法介绍

2018年半导体产业现“三高” DRAM产能成长挑战10%

据报道,今年DRAM产能成长将挑战10%,主要得益于三星、海力士、美光等芯片内存产商的大量扩产,半导....
发表于 01-06 11:08 次阅读 0条评论
2018年半导体产业现“三高” DRAM产能成长挑战10%

物联网周报:百度与雄安共建AI国家实验室 三星开发全球最小DRAM芯片

三星电子表示,其已开发出全球最小的动态随机存取记忆体(DRAM)芯片,第二代10纳米级芯片比第一代芯....
的头像 物联网资本论 发表于 01-05 08:57 次阅读 0条评论
物联网周报:百度与雄安共建AI国家实验室 三星开发全球最小DRAM芯片

三星投资60%部署NAND闪存业务 预测将出现供大于求

根据2017年的存储器市场来看,价格的大幅度上涨,内存市场面临着激烈的竞争,市场供不应求的局面,致使....
发表于 01-03 16:54 次阅读 0条评论
三星投资60%部署NAND闪存业务 预测将出现供大于求

DRAM涨价趋势2018年将开始下滑 恐将2年之久

2017年的DRAM价格受惠于数据中心需求,报价一路上扬,在第四季依然取得不俗的成绩。根据历史趋势来....
发表于 01-03 13:13 次阅读 0条评论
DRAM涨价趋势2018年将开始下滑 恐将2年之久

三星电子/海力士夸大DRAM市场缺口 纵容价格涨价

2017年内存缺货涨价已经是众所周知的事情,因为异常的市场涨价趋势,已经引起了发改委的调查,称内存涨....
发表于 01-02 13:27 次阅读 0条评论
三星电子/海力士夸大DRAM市场缺口 纵容价格涨价

无止境的DRAM涨价现象吸引了中国发改委的注意

半导体行业观察:据IC insights报道,今年记忆体供给吃紧,推升价格持续走扬,他们预期第四季D....
的头像 半导体行业观察 发表于 12-29 15:00 次阅读 0条评论
无止境的DRAM涨价现象吸引了中国发改委的注意

三星开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片

据韩联社北京时间12月20日报道,三星电子今天宣布,已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯....
的头像 芯智讯 发表于 12-29 11:15 次阅读 0条评论
三星开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片

三星开发世界最小DRAM芯片将用于高端数据处理设施

12月20日消息,据国外媒体报道,韩国三星电子公司周三(今天)表示,它已经开发了世界上最小的DRAM....
的头像 芯师爷 发表于 12-27 15:53 次阅读 0条评论
三星开发世界最小DRAM芯片将用于高端数据处理设施

三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世 进一步抢攻DRAM市场商机

三星的DRAM市场表现十分强劲,并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合....
发表于 12-27 11:22 次阅读 0条评论
三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世 进一步抢攻DRAM市场商机

内存供应需求疲软 缺货、降价一片哀嚎

内存市场进入了一个死局,内存昂贵价格堪称史无前例,内存条出货量整体又下滑了约10%。三星被发改委约谈....
发表于 12-26 11:28 次阅读 0条评论
内存供应需求疲软 缺货、降价一片哀嚎

内存市场状况分析:2018年DRAM持续吃紧 NAND将供过于求

近一年来了内存价格的起伏不定,准确的说是水涨船高,明年的市场状况又将迎来如何的转变。据悉明年上半年D....
发表于 12-25 12:40 次阅读 0条评论
内存市场状况分析:2018年DRAM持续吃紧 NAND将供过于求
鸿运国际手机欢迎你